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100 | 1 | ▼a 박병국 |
245 | 1 0 | ▼a 나노 전자 소자 / ▼d 박병국, ▼e 황성우, ▼e 박영준 |
260 | ▼a 서울 : ▼b 범한서적주식회사, ▼c 2014 | |
300 | ▼a 349 p. : ▼b 삽화(일부천연색), 도표 ; ▼c 26 cm | |
500 | ▼a 부록수록 | |
504 | ▼a 참고문헌(p. 325-326)과 색인수록 | |
700 | 1 | ▼a 황성우, ▼e 저 |
700 | 1 | ▼a 박영준, ▼d 1952-, ▼e 저 |
Holdings Information
No. | Location | Call Number | Accession No. | Availability | Due Date | Make a Reservation | Service |
---|---|---|---|---|---|---|---|
No. 1 | Location Sejong Academic Information Center/Science & Technology/ | Call Number 620.5 2014 | Accession No. 151330088 | Availability Available | Due Date | Make a Reservation | Service |
Contents information
Author Introduction
박병국(지은이)
1982년과 1984년에 서울대학교 전자공학과에서 학사와 석사학위를 취득하고, 1990년 미국 Stanford 대학교에서 박사학위를 취득하였다. AT&T Bell 연구소와 Texas Instruments에서 연구원으로 일하였고, 1994년 서울대학교 전자공학과에 부임하여 현재 전기· 정보공학부 교수로 재직 중이다. 주요 연구 분야는 나노 CMOS, 차세대 메모리, 신경모방소자, 양자소자 및 광소자 등으로, 국내외 학술지와 학술대회에 930여 편의 논문을 발표하였고, 100건 이상의 특허를 보유하고 있으며, 『Nanoelectronic Devices』등 3권의 저서를 출간하였다. 대한전자공학회, 미국전기전자공학회(IEEE) 회원이며, 『Journal of Semiconductor Technology and Science』의 편집장을 맡고 있다.
황성우(지은이)
박영준(지은이)

Table of Contents
1장 나노 전자소자를 위한 양자역학 1.1양자역학의 기본 개념 1.2고체 상태와 에너지 띠 1.3에너지 띠와 전기적 성질 1.4양자역학의 나노 구조 응용 연습문제 2장 전자 전송과 소지 물리 2.1반도체와 반송자 2.2반송자 전송 2.3생성,재결합 및 연속성 2.4p-n접합 2.5금속-반도체 접촉과 이종 접함 연습문제 3장 MOS구조와 CMOS소자 3.1MOS 구조 3.2MOSFET과 그 동작 3.3MOS회로 연습문제 4장 양자 우물 소자 4.1CMOS 소자 스케일링의 여러 가지 문제 4.2나노 MOSFET에서의 스케일링 문제 해결을 위한 접근 방법 4.3이중 게이트 MOSFETs 4.4터널링 및 공명 터널링 소자 연습문제 5장 양자 선 소자 5.1일차원 전자계에서의 전송 5.2나노선 MOSFET 연습 문제 6장 양자점 소자 6.10차원 전자계 6.2단전자 트랜지스터의 모델링 연습문제 7장 분자 센서로서의 MOSFET 7.1서론 7.2화학의 기본 7.3EISFET 7.4FET기반의 바이오 분자 센서 7.5요약 연습 문제