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목차
Ⅰ 머리글(Introduction) = 1
 1.1. 전산재료과학(電算材料科學, Computational Materials Science) = 4
 1.2. 분자동역학법(分子動力學法, MD, Molecular Dynamics) = 9
 1.3. 제1원리법(第1原理法, First Principles Methods) = 14
 1.4. 컴퓨터의 발달 = 17
Ⅱ 분자동역학(Molecular Dynamics) = 20
 2.1. 머리글 = 21
 2.2. 경험적 퍼텐셜(Empirical Potential) = 24
 2.3. Newton의 운동방정식(運動方程式, Equation of Motion) = 35
 2.4. 시작하기(Initialization) = 45
 2.5. 평형화(平衡化, Equilibration) = 53
 2.6. 데이터 뽑기(Data Production) = 57
Ⅲ XMD를 사용한 컴퓨터 시뮬레이션 예 = 61
 3.1. XMD = 63
 3.2. A1-PE-curve = 66
 3.3. Ni-cluster4 = 66
 3.4. 1 A1 atom on Co = 75
 3.5. SiC-OTS = 79
 3.6. SiC-depo-3C-on-C = 82
Ⅳ 제1원리법(1st Principles Methods) = 87
 4.1. 머리글(Introduction) = 88
 4.2. 파동(波動, Wave) = 97
 4.3. Shr$$\ddot o$$dinger의 파동식(波動式, Wave Equation) = 103
 4.4. 우물 속 전자(An electron in a Well)의 풀이 = 114
 4.5. Hartree 방법 = 120
 4.6. Hartree-Fock 방법 = 128
 4.7. Hartree-Fock-Roothaan 방법 = 134
Ⅴ 밀도범함수이론(Density Functional Theory, DFT) = 138
 5.1. 줄거리 = 139
 5.2. Kohn-Sham식 = 144
 5.3. Kohn-Sham식의 풀이 = 150
 5.4. 수도퍼텐셜(Pseudopotential, PP) = 156
 5.5. 고체 다루기 = 162
Ⅵ VASP를 사용한 컴퓨터 시뮬레이션 예 = 179
 6.1. VASP(Vienna ab-initio Simulation package) = 180
 6.2. Preparation for VASP Runs = 182
 6.3. W-atom = 188
 6.4. W-bcc = 195
 6.5. W-bulk = 198
 6.6. W-lattice = 206
 6.7. SiC-surface = 209
 6.8. SiC-cluster = 220
 6.9. W-defect-energy/SiC-defect-energy = 225
 6.10. 다차원 시뮬레이션 방법(Multiscale Simulation Methods) = 228
붙임 = 232
 참고저서 = 232
 지은이 = 234